公开/公告号CN110858597A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-03
原文格式PDF
申请/专利号CN201810962910.6
申请日2018-08-22
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 300385 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
入库时间 2023-12-17 06:30:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20180822
实质审查的生效
2020-03-03
公开
公开
机译: MEMS密封帽晶圆的多硅沟槽形成方法及其刻蚀掩模结构
机译: MEMS密封帽晶圆的多个硅沟槽形成方法及其蚀刻掩模结构
机译: MEMS密封帽晶圆的多硅沟槽形成方法及其刻蚀掩模结构