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利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法

摘要

一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;6)用去离子水清洗,完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势,易于形成断口,易于剥离的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN104377117A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201410500353.8

  • 申请日2014-09-26

  • 分类号H01L21/02;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 04:19:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20150225 申请日:20140926

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-03-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20140926

    实质审查的生效

  • 2015-02-25

    公开

    公开

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