公开/公告号CN104081662A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 特萨特-航天通讯有限责任两合公司;
申请/专利号CN201280032397.1
申请日2012-06-18
分类号H03F1/52;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人卢江
地址 德国巴克南
入库时间 2023-12-17 02:34:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03F1/52 授权公告日:20170510 终止日期:20190618 申请日:20120618
专利权的终止
2017-05-10
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/52 申请日:20120618
实质审查的生效
2014-10-01
公开
公开
技术领域
本发明涉及一种针对在输出侧存在错误阻抗匹配的情况的在高频功率放大器中的失配保护电路。
背景技术
高频功率放大器在波导系统中以预给定的阻抗、例如50OHM被确定尺寸。为了保证功率放大器的不受干扰的功能和至连接的系统、诸如天线母线中的最大功率输出,连接的系统必须具有与功率放大器相同的线路阻抗。
在连接点处有不同阻抗的情况下,出现反射,功率的一部分通过所述反射被引回到放大器输出级中。在错误连接、即空载或短路的最临界的情况下,放大器的整个高频功率被引回到该放大器中。
这样的情况可能在这种放大器开始运转期间或在测量这种放大器时由于操作错误和/或操纵错误而出现。
高频功率放大器可能由于放大器的被反射的功率部分而承受热负荷,使得半导体器件受损或甚至被损坏,其中所述高频功率放大器的输出级在使用晶体管的情况下来构建。
为了在错误结束(Fehlabschluss)的情况下保护这样的输出级免受所反射的功率影响,目前在高频晶体管功率放大器的输出端处安置环形器,如在图1中以具有并行的输出级的功率放大器的输出段为例所示的。
作为三端口器件(Dreitor)被设计的电路具有依赖于方向的波导。在端口1上被馈入的功率低损耗地被引导至端口2。在端口2上被馈入的功率或从那里所反射的功率在RF输出端的错误结束的情况下被进一步引导到端口3。通过端口3以具有参考系统的大小的负载电阻来结束的方式,全部的在端口3上所输出的的功率被吸收并且不重新从端口3被反射至端口1。环形器作为隔离器起作用,环形器的第三端口以负载电阻结束。
问题提出
近年来,为了在高频功率放大器中使用,开发了基于氮化镓的新型晶体管。这些晶体管有直至200瓦的输出功率。由于其同时也具有非常高的效率,所以其适合于在针对卫星应用的功率放大器中使用。但同时在卫星应用中也要求功率放大器之后的输出网络损耗低,以便不妨碍放大器的效率。此外,需要设备有小的结构大小和重量。
为了在错误结束时保护这样的功率放大器免受所反射的功率影响,隔离器应该是必需的,所述隔离器的结束电阻在第三端口上可以吸收直至200瓦的全部功率。这种隔离器在高频领域中不能以同时所要求的损耗低且小的结构大小来实现。
发明内容
本发明的任务是,在这里所谈及的类型的高频功率放大器中在失配时设法补救。该任务借助权利要求1和权利要求8中的特征来实现。
附图说明
以下借助附图更详细地描述本发明,其中
图1示出具有环形器的现有技术,
图2示出失配检测器的原理性电路,
图3示出耦合器的耦合衰减和隔离(方向性锐度),
图4示出根据本发明的失配保护电路,以及
图5示出具有失配保护电路的两个并行的输出级的输出组合器。
具体实施方式
根据本发明的用于高频功率放大器的匹配保护电路具有安置在功率放大器的输出端处的检测器,该检测器被构造为波导耦合器,并且该检测器的在直通方向上去耦的端口以负载电阻结束。由于用于从输出端所反射的波的该端口具有比针对输出级所馈入的功率更低的耦合衰减,所以该端口同样以检测器二极管结束(图2)。
耦合器的尺寸被设计,使得保证,至分别被耦合的端口中的具有例如-25dB的耦合衰减小于至分别去耦的端口中的具有例如-30dB的衰减(参看图3)。因此,给定了在两个检测器二极管中施加的信号电平的来源的明确的可区分性和其向检测器二极管的分配。
由两个检测器二极管所提供的、与相应的施加的功率电平成比例的电压在调节电路中被进一步处理。
由二极管A所提供的电压对应于被馈入到输出端中的有效功率。该电压如迄今那样在调节电路中被利用,以便例如在ALC运行中和/或关于温度将输出功率保持恒定或作为遥测数据被转发至要监控的系统。
由二极管B所提供的电压与在功率放大器的输出端处由于以非理想的阻抗结束而被反射的功率成比例。如由图4所得知的那样,该电压在相应的放大和/或处理之后可以以模拟或数字形式被馈入到接通和关断输出级的电路中。在超过预定义的电平Uref时,通过失配警报引起输出级的快速切断。
对于并行的输出级的常常给定的情况,这些输出级通过被用作加法器的耦合器来接合。该耦合器由于损耗低的原因大多作为分支耦合器以带状功率技术(Streifenleistungstechnik)来实现。在此情况下,失配耦合器如在图5中所示的那样可以被集成到该耦合器中,由此总装置的直通损耗再次被减小,而同时不仅可以实现RF输出功率的典型的遥测而且可以实现失配保护。
机译: 用于熔化,精炼和/或均化用于生产玻璃的批料的坩埚具有围绕感应设备的保护单元,以保护设备免受高频辐射的影响
机译: 用于保护关键资源免受高性能微处理器中的软错误影响的设备和方法
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