形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构

摘要

本发明涉及用于形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构，其中，本揭露提供半导体装置用栅极电极结构的一些态样。在本文的一些描述性具体实施例中，栅极电极结构包含位于半导体衬底的第一主动区上方的第一高k介电层、以及位于所述第一介电层上的第二高k介电层。所述第一高k介电层具有金属物种加入其内，用于调整所述第一高k介电层的功函数。