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用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法

摘要

本发明涉及用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法。一种制造半导体衬底的方法,包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片,以及当在垂直于第一表面的横截面中看时,在离第一表面第一距离处在半导体晶片中形成空腔。所述空腔被由晶片的半导体材料所形成的隔壁彼此横向隔开。所述空腔形成分离区。所述方法进一步包括在半导体晶片的第一表面上形成半导体层,以及通过对隔壁施加机械冲击来打破至少一些隔壁,以沿分离区分割半导体晶片。

著录项

  • 公开/公告号CN103700577A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201310447890.6

  • 发明设计人 H-J.舒尔策;W.维尔纳;

    申请日2013-09-27

  • 分类号H01L21/02;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人蒋骏

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2024-02-19 23:02:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20140402 申请日:20130927

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130927

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    公开

    公开

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