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金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作方法

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摘要

本发明属于微电子与光电子技术领域，涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED，采用标准CMOS工艺制成，包括集成在P型硅衬底上的P

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-10-19

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/38 申请公布日:20140205 申请日:20131105

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/38 申请日:20131105

实质审查的生效
2014-02-05

公开

公开

1. 金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作方法 [P] . 中国专利： CN103560192A . 2014-02-05
2. 金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED [P] . 中国专利： CN203631588U . 2014.06.04
3. plasmon coupling DNA Method for Detecting Epigenetic Changes of DNA using Plasmon Coupling dependent Surface Enhanced Raman Spectroscopy [P] . 韩国专利： KR101812644B1 . 2017-12-27

机译：等离子体激元耦合DNA依赖等离子耦合的表面增强拉曼光谱法检测DNA的表观遗传变化
4. plasmon coupling DNA Method for Detecting Epigenetic Changes of DNA using Plasmon Coupling dependent Surface Enhanced Raman Spectroscopy [P] . 韩国专利： KR20170010616A . 2017-02-01

机译：等离子体激元耦合DNA依赖等离子耦合的表面增强拉曼光谱法检测DNA的表观遗传变化
5. Light-emitting device having enhanced luminescence by using surface plasmon resonance and method of fabricating the same [P] . 美国专利： US8581230B2 . 2013-11-12

机译：利用表面等离子体激元共振增强发光的发光装置及其制造方法