具有相反极性肖特基二极管场保护环的肖特基二极管

摘要

在一个一般方面中，一种设备包含金属或金属硅化物接触层，其安置于半导体衬底的n阱区上以形成主要肖特基二极管。所述设备包含所述半导体衬底的p阱保护环区，其对接所述主要肖特基二极管。所述金属硅化物接触层具有在所述半导体衬底的所述p阱保护环区上延伸的周边部分，且所述p阱保护环区具有掺杂水平，所述掺杂水平建立相对于所述金属硅化物接触层的所述周边部分的功函数差异以形成保护环肖特基二极管。所述保护环肖特基二极管与所述p阱区和所述n阱区的p-n结界面串联，且所述保护环肖特基二极管具有与所述主要肖特基二极管的极性相反的极性。