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脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜

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摘要

本发明公开了一种脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜，方法如下：1）靶材的选择：采用Al-Zn靶，其中Al含量为2.5wt.%~3.5wt.%；2）石英玻璃衬底的清洗；3）抽真空：将清洗后的石英玻璃片放入沉积室，将沉积室抽真空至3.0×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-04-13

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/28 申请公布日:20130911 申请日:20130614

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-10-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/28 申请日:20130614

实质审查的生效
2013-09-11

公开

公开

1. 脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜 [P] . 中国专利： CN103290366A . 2013-09-11
2. 一种Ag-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN102503162A . 2012-06-20
3. P-Type Semiconductor Zinc Oxide Films Process for Preparation Thereof, and Pulsed Laser Deposition Method Using Transparent Substrates [P] . 美国专利： US2010000466A1 . 2010-01-07

机译： P型半导体氧化锌膜的制备方法以及使用透明基板的脉冲激光沉积法
4. MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ZINC OXIDE FILM, AND PULSED LASER DEPOSITION METHOD USING TRANSPARENT SUBSTRATE [P] . 日本专利： JP2007288141A . 2007-11-01

机译： P型半导体氧化锌膜的制造方法以及使用透明基质的脉冲激光沉积法
5. FABRICATION OF CU2O-IN2O3 TARGETS FOR P-TYPE CUINO2 TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE FILM DEPOSITION THROUGH PULSED LASER DEPOSITION AND SPUTTEIRNG METHODS [P] . 韩国专利： KR20080071466A . 2008-08-04

机译：通过脉冲激光沉积和溅射法制备P型CuO2透明导电氧化物薄膜的Cu2O-in2O3目标的制备