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复合式太阳能电池的多晶硅基板及其太阳能电池

摘要

一种复合式太阳能电池的多晶硅基板,包括:一第一基材层,该第一基材层的纯度介于2N至3N之间;以及一成型于该第一基材层上的第二基材层,该第二基材层的纯度介于6N至9N之间。本发明具有以下有益的效果:本发明利用半导体方法在一般纯度较低的基板上制作高质量的高纯度外延层或高纯度溅射层,以作为太阳能电池的主动层,故可减少高纯度的硅原料的使用,以取代传统块材硅的太阳能电池,借以降低整体成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103094376A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 智盛全球股份有限公司;

    申请/专利号CN201110351002.1

  • 发明设计人 朱兆杰;

    申请日2011-11-01

  • 分类号H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/04;

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁挥

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2024-02-19 19:15:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0352 申请公布日:20130508 申请日:20111101

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20111101

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    公开

    公开

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