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有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法及装置

摘要

本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法,包括以下步骤:将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置;向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号;获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线,以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值;得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线;得到关系曲线中的峰值点的激励频率;比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率,以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度,且能够减小提离波动对厚度测量的影响,从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。

著录项

  • 公开/公告号CN103234449A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201310170146.6

  • 发明设计人 赵乾;余强;孟永钢;路新春;

    申请日2013-05-09

  • 分类号G01B7/06(20060101);

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张大威

  • 地址 100084 北京市海淀区100084-82信箱

  • 入库时间 2024-02-19 19:15:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    授权

    授权

  • 2013-09-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B7/06 申请日:20130509

    实质审查的生效

  • 2013-08-07

    公开

    公开

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