采用电耦合源极区和电源轨来放宽相邻MOS标准单元之间的源极-漏极端到端间距的金属氧化物半导体(MOS)标准单元

摘要

公开了一种金属氧化物半导体(MOS)标准单元，其采用电耦合源极区和电源轨来放宽相邻MOS标准单元之间的源极‑漏极端到端间距。在一个方面中，MOS标准单元包括设置在第一金属层中并且沿着X轴方向上的相应轴设置的电源轨。MOS标准单元包括设置在第一金属层中并且沿着X轴方向上的相应轴设置的金属线。MOS标准单元包括形成在第一金属层下方的半导体衬底中并且与设置在电源轨和源极区之间的X‑Z轴方向中的平面相邻的源极区。源极区电耦合至对应电源轨。以这种方式形成源极区允许MOS标准单元设置为与其他MOS标准单元相邻，同时实现最小所需源极‑漏极端到端间距。