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在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法

摘要

本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内,光信号可以通过光窗口出入杜瓦,被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。该装置及方法可以测试光电器件在一定高低温范围内的光电参数,采用了具有光窗口的真空杜瓦作为器件测试环境,将器件置于真空杜瓦内真空腔的热沉上,热沉与冷源和热源相连接,光电器件的输出信号线与腔外测试系统相连。利用本发明,降低了在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的复杂性,提高了测试的精确度,解决了温度过低时光窗口结霜的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101685126B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200810223611.7

  • 发明设计人 杨晓红;韩勤;提刘旺;

    申请日2008-09-27

  • 分类号G01R31/00(20060101);G01M11/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/00 授权公告日:20120822 终止日期:20140927 申请日:20080927

    专利权的终止

  • 2012-08-22

    授权

    授权

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/00 申请日:20080927

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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