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对半导体材料的表面进行纹理化的方法和实施该方法的设备

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摘要

公开了一种对半导体材料(2)的表面的至少一部分(4)进行纹理化的方法，其中表面的所述至少一部分(4)与蚀刻溶液(6)接触；表面的所述至少一部分(4)以导电方式连接到电源(8)的正极(9)并被用作正电极(16)；设置在蚀刻溶液(6)中的负电极(14)以导电方式连接到电源(10)的负极(18)且电流从正极(9)传导到负极(10)，且以这种方式表面的所述至少一部分(4)被电化学蚀刻。还公开了用于实施该方法的设备(1；30；70)。

著录项

公开/公告号CN110383494A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-25

原文格式PDF
申请/专利权人雷纳技术有限责任公司;
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申请/专利号CN201880011323.7
发明设计人霍尔格·邱雷恩;沃尔夫冈·丁佩尔费尔德;约翰·伯西克;本尼迪克特·斯特鲁布;
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申请日2018-02-08
分类号
代理机构北京金恒联合知识产权代理事务所;
代理人李强
地址德国古滕巴赫市78148高路街1号
入库时间 2024-02-19 15:53:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20180208

实质审查的生效
2019-10-25

公开

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