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公开/公告号CN110266281A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 成都华微电子科技有限公司;
申请/专利号CN201910507970.3
发明设计人 林亚立;范龙;冯浪;张克林;曾泫鸿;杨宇啸;
申请日2019-06-12
分类号
代理机构成都惠迪专利事务所(普通合伙);
代理人刘勋
地址 610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号1栋22层
入库时间 2024-02-19 14:53:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/45 申请日:20190612
实质审查的生效
2019-09-20
公开
机译: 带隙基准电路和带隙基准电流源,带有两个运算放大器,用于产生零温度相关电流
机译: 运算放大器和带隙运算放大器的带隙基准电压产生电路
机译: 电流型逆变器电路,电流型逻辑电路,电流型锁存电路,半导体集成电路,电流型环形振荡器,压控振荡器和PLL电路
机译:具有嵌入式电流缓冲频率补偿的CMOS Miller运算跨导放大器的噪声性能
机译:基于非线性电流镜的具有摆率增强的低功率运算跨导放大器
机译:用于电流镜运算跨导放大器的高功率增益增强技术
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机译:单层2D GeS和SnS中增强的移位电流通过应变诱导带隙工程
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机译:具有电流 - 电流型自作用的phi exp 4模型中的Cnoidal波