一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法，包括以下步骤：将OA、ODE和PbO粉末加入到三颈烧瓶内，然后将氮气注入到三颈烧瓶内，彻底去除空气；加热三颈烧瓶，直到PbO粉末完全消失，混合溶液变成无色；将含有Se粉末的Se‑TOP溶液加入到三颈烧瓶内，加热三颈烧瓶，得到PbSe QDs颗粒；将甲苯加入到三颈烧瓶内，将三颈烧瓶浸没在室温水浴中，以完全淬灭反应；PbSe QDs样品使用甲醇和乙烷沉淀再分散，纯化PbSe QDs样品，然后将纯化的PbSe QDs样品再分散在四氯乙烯中；通过注射器将PbSe QDs溶液注入到空心半球中，然后密封空心半球，将含有PbSe QDs溶液的空心半球放置在GaN芯片上。本发明制备的近红外发光二极管具有简单制造、窄带、尺寸小和易调谐的特点。