首页> 中国专利> 包括在磁隧道结中的合成反铁磁体中的数据存储

包括在磁隧道结中的合成反铁磁体中的数据存储

摘要

一种在包括在每个自旋转矩存储器单元中的合成反铁磁体(SAF)中存储数据的磁阻存储器器件,提供更稳健的数据存储。在正常操作中,存储器单元使用存储器单元的自由部分用于数据存储。呈现了用于在存储器单元的参考部分中存储数据的技术,其中包括具有不同磁矩的铁磁层的非平衡SAF用于降低对于SAF的切换势垒,并且允许使用比对于平衡SAF将需要的更低的电流和磁场将数据值写至SAF。

著录项

  • 公开/公告号CN110235201A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾沃思宾技术公司;

    申请/专利号CN201780085037.0

  • 申请日2017-12-18

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国亚利桑那

  • 入库时间 2024-02-19 13:40:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20171218

    实质审查的生效

  • 2019-09-13

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号