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一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法

摘要

本发明公开了一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法,属于增材制造技术制备无机非金属陶瓷领域,该方法包括步骤:(1)采用机械混合法制备纳米烧结助剂和氮化硅聚空心球的混合均匀的复合粉体,或者通过化学共沉淀法制备纳米烧结助剂包覆氮化硅聚空心球的复合粉体;(2)设计CAD模型,进行切片处理后保存为STL文件,导入SLS成形设备中;(3)采用SLS成形设备对复合粉体进行激光选区烧结,制备出预烧结氮化硅陶瓷;(4)高温烧结后,制备出CAD模型结构的多孔氮化硅陶瓷。本发明方法制备出复合粉体后,通过激光选区烧结制备出预烧氮化硅陶瓷,并经过后处理工艺制备出高孔隙率氮化硅陶瓷,无需排胶、可成形复杂结构、成形件孔隙率高。

著录项

  • 公开/公告号CN110330344A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201910532813.8

  • 申请日2019-06-19

  • 分类号C04B35/584(20060101);C04B35/628(20060101);C04B35/64(20060101);C04B38/08(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智;曹葆青

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 13:22:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/584 申请日:20190619

    实质审查的生效

  • 2019-10-15

    公开

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