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公开/公告号CN109983561A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-05
原文格式PDF
申请/专利权人 新南创新私人有限公司;
申请/专利号CN201780072249.5
发明设计人 S·R·韦纳姆;A·切希拉;D·巴格诺尔;R·陈;M·D·阿博特;B·J·哈勒姆;C·E·陈;C·M·庄;D·陈;D·N·佩恩;L·麦;金文龙;冯浚桁;施正荣;
申请日2017-11-22
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王青芝
地址 澳大利亚新南威尔士州
入库时间 2024-02-19 13:13:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/30 申请日:20171122
实质审查的生效
2019-07-05
公开
机译: 高级氢钝化,减轻PV器件中的氢诱导的重组(HIR)和表面钝化劣化
机译: 改进的氢钝化可减轻PV器件中的氢诱导重组(HIR)和表面钝化降解
机译: 先进的氢钝化技术可减少光伏器件中的氢诱导复合(HIR)和表面钝化降解
机译:高温处理对氮氧化硅/氮化硅叠层中结晶氢表面钝化过程中氢分布的影响
机译:使用喹氢/甲醇处理表面钝化硅基材的钝化
机译:ALD-Al_2O_3中的氢在Kesterite Cu_2ZnSnS_4太阳能电池中的作用:晶粒表面钝化
机译:氢化硅键合环境在α-硅:氢膜中对c-硅表面钝化的作用
机译:CsPbI3钙钛矿有源层的自发银掺杂和表面钝化可实现外部量子效率为11.2%的发光器件
机译:InGaN / GaN纳米线圆盘发光二极管中增强的表面钝化效果,可减轻肖克利-里德-霍尔复合效应
机译:氢 - 等离子体和pECVD-氮化物沉积对线带硅太阳能电池中体积和表面钝化的影响