退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN109791943A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-21
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201680089743.8
发明设计人 H.C.乔治;R.皮拉里塞蒂;N.K.托马斯;J.M.罗伯茨;J.S.克拉克;
申请日2016-09-30
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人姜冰
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 12:09:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20160930
实质审查的生效
2019-05-21
公开
机译: 带单电子晶体管检测器的量子点设备
机译: 在栅电极和单电子存储元件之间具有量子点的单电子存储器件的制造方法
机译:通过使用单电子晶体管检测器以少量电子操作的Si存储器件
机译:耦合量子点接触单电子晶体管器件中的静电效应
机译:离散量子能级对具有超小量子点的硅单电子晶体管中电子输运的影响
机译:具有多个栅极的双量子点单电子晶体管的可调耦合电容
机译:具有单电子晶体管电荷传感器的硅/硅锗量子点。
机译:具有CsPbBr3和ZnO量子点复合双有源层的新型光电晶体管器件
机译:用于六角形BDD量子电路的单量子点Gaas单电子路径开关节点器件的特性