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公开/公告号CN109920881A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN201910210408.4
发明设计人 杨穗;侯莹霞;钟建新;易捷;李红星;
申请日2019-03-19
分类号
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙);
代理人冷玉萍
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2024-02-19 11:50:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190319
实质审查的生效
2019-06-21
公开
机译: 一种通过在晶体基板上使用镓(Ga),铟(In)和铝(Al)中的至少一种来获得氮化物的半极性层的方法
机译: 包含铝和硼,钛,镍,锡,银,镓,锌,铟和铜中的至少一种的太阳能电池触点
机译: 包含铝和硼,钛,镍,锡,银,镓,锌,铟和铜中至少一种的太阳能电池触点
机译:锶掺杂对溶液加工铝氧化铝介电层的特性及其在低压操作铟 - 镓 - 氧化锌薄膜晶体管的应用
机译:具有太阳能电池缓冲层的天然纹理表面氢化镓掺杂氧化锌透明导电薄膜
机译:用于Cu2ZnSn(S,Se)(4)薄膜太阳能电池的原子层沉积的氧硫化锌n型缓冲层
机译:铜铟二硒化镓薄膜太阳能电池ZnInXSY缓冲层的原子层沉积
机译:在铝-铟-锑变质缓冲层上生长的中红外镓-铟-锑/铝-镓-铟-锑MQW激光器。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:铝/镓,铟/镓,和铝/铟通过气溶胶辅助CVD沉积的涂铝/铟共掺杂ZnO薄膜
机译:铟镓砷太阳能电池的磷化铟窗口层