退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110021385A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201811256113.2
发明设计人 G.海德;H.西姆卡;C.伯温;
申请日2018-10-26
分类号G16C20/70(20190101);G16C60/00(20190101);H01L23/532(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址 韩国京畿道
入库时间 2024-02-19 11:50:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-16
公开
机译: 作为半导体器件中的层间或层间电介质的超低介电常数材料,其制造方法以及包括该材料的电子器件
机译: 由此产生的电子器件以及用于制造超低介电常数材料作为半导体器件中的层内或层间电介质的改进方法。
机译: 超低介电常数材料,作为半导体器件中的中间或中间介电体,其制造方法以及包含该介电常数的电子器件
机译:一种适用于电子和光电子器件的氧化锌沉积碳纳米管基材料的制备和表征的新方法
机译:快速柔性半导体纳米膜电子器件的制备,表征和建模
机译:含分子半导体的二酮吡咯并吡咯:合成,表征和固溶处理的1 D-微线电子器件
机译:半导体高分子基体作为电荷传输材料及其在高分子电子器件中的应用
机译:III-V型化合物半导体材料表征的各种光电子器件的微结构和纳米结构的分析透射电子显微镜和高分辨率电子显微镜。
机译:微波辅助合成和表征氧化锌/烟草花叶病毒杂种材料。场效应晶体管器件中的有源混合半导体
机译:通过使用具有自X属性的鲁棒优化/集成传感器电子器件,通过具有自X特性的鲁棒优化/集成传感器电子器件,在输入扰动的情况下免受测量噪声的自我X集成传感器电路。通过强大的优化方法改善输入变量的测量和干扰中的噪声影响。
机译:具有稀土杂质的III-V半导体在光电子器件中的生长和表征。