用于处理运动中的基片表面的设施的处理单元、相应的设施及实施方法

摘要

一种单元，包括：容纳部(50)，其用于接纳适于产生放电的电极；以及第一装置(20、21、22)，其用于朝向设施的支撑件喷射处理气体，处理气体包括至少一种等离子体形成气体。根据本发明，第一喷射装置包括用于所述处理气体的吸入部件(20)、在与支撑件相对侧开口的处理气体喷射部件(21)、以及连接这两个部件的中间腔室(22)。该腔室包括上游区域(24)和下游区域(27)，在纵向视图(XX)和/或横向视图中，上游区域的气体通道的横截面从入口(25E、26E)朝向出口(25S、26S)增大，并且在横向视图中，下游区域的通道的横截面从入口(28E、29E)朝向出口(28S、29S)增大，而在纵向视图(XX)中下游区域的通道的横截面在出口(28S、29S)附近减小。由于腔室的形状以及该腔室中气体的方向的变化，本发明尤其地赋予处理气体在基片的整个处理宽度上的均化分布。