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公开/公告号CN109637926A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-16
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201811561845.2
发明设计人 P·K·库尔施拉希萨;段子青;K·T·纳拉辛哈;K·D·李;金柏涵;
申请日2016-08-11
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人汪骏飞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 10:28:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160811
实质审查的生效
2019-04-16
公开
机译: 超高模量和蚀刻选择性硼碳硬掩模膜
机译: 超高模量和蚀刻选择性硼 - 碳硬掩模膜
机译: 超高模量和蚀刻选择性的硼碳硬掩模膜
机译:由(C_6H_12)/ Ar / He化学沉积的非晶碳膜的制备和分析,用作半导体制造工艺中的干法蚀刻硬掩模
机译:使用碳硬掩模(CHM)作为掩模的CF_4蚀刻,对23 nm直径嵌段共聚物自组装纳米点的图案转移
机译:用于蚀刻硬掩模的无定形碳薄膜的表面分析
机译:用于3D-SIC的超高选择性TSV蚀刻硬掩模工艺开发和集成
机译:用于碳-碳,碳-硅和碳-硼键的对映选择性合成的新概念和催化剂。
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机译:直接写入和光学投影的准分子激光蚀刻金刚石和硬碳膜