法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/68 申请日:20190111
实质审查的生效
2019-05-21
公开
公开
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 具有晶格适应性的微电子半导体器件-通过超晶格实现它们之间的接触区域,并且在使用一种材料制成器件的情况下去除了替代材料
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂