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一种基于CMOS工艺W波段移相器

摘要

本发明公开了一种基于CMOS工艺W波段移相器,包括两个λ/4耦合线、LC匹配结构、矢量合成器。本发明提出了一种新颖的基于CMOS工艺的W波段移相器,通过两个λ/4耦合线可将差分信号产生四路正交信号,LC匹配结构可以减少级间插损,矢量合成器将四路正交信号合成为适当相位。其中,提出了一种基于CMOS工艺的集成度高的λ/4耦合线的实现方式和一种基于吉尔伯特单元的新颖的矢量合成结构。解决现有移相器频率较低,面积大成本高的问题,是一种非常有推广前景的可用于W波段的基于CMOS工艺有源移相器。

著录项

  • 公开/公告号CN109585983A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京遥感设备研究所;

    申请/专利号CN201811353221.1

  • 申请日2018-11-14

  • 分类号H01P1/18(20060101);H01Q3/36(20060101);

  • 代理机构11024 中国航天科工集团公司专利中心;

  • 代理人张镇

  • 地址 100854 北京市海淀区永定路51号

  • 入库时间 2024-02-19 09:44:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P1/18 申请日:20181114

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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