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新型铋铁氧室温多铁磁电耦合材料及制备方法、电子器件

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摘要

一种新型铋铁氧室温多铁磁电耦合材料。所述新型铋铁氧室温多铁磁电耦合材料的结构式为AB

1. 新型铋铁氧室温多铁磁电耦合材料及制备方法、电子器件 [P] . 中国专利： CN109809493A . 2019-05-28
2. 铋铁氧室温多铁磁电耦合材料及制备方法、电子器件 [P] . 中国专利： CN109809493B . 2020.08.04
3. MULTIFERROIC NANOSCALE THIN FILM MATERIALS, METHOD OF ITS FACILE SYNTHESES AND MAGNETOELECTRIC COUPLING AT ROOM TEMPERATURE [P] . 美国专利： US2016012951A1 . 2016-01-14

机译：多铁纳米薄膜材料，室温合成及其磁电耦合的方法
4. MULTIFERROIC NANOSCALE THIN FILM MATERIALS METHOD OF ITS FACILE SYNTHESES AND MAGNETOELECTRIC COUPLING AT ROOM TEMPERATURE [P] . 韩国专利： KR101639431B1 . 2016-07-13

机译：室温下的多铁纳米薄膜材料的合成及其磁电耦合的方法
5. Multiferroic nanoscale thin film materials, method of its facile syntheses and magnetoelectric coupling at room temperature [P] . 美国专利： US8591987B2 . 2013-11-26

机译：多铁纳米级薄膜材料，其容易合成的方法和室温下的磁电耦合