一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法

摘要

本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括：掺杂锑源的量子点有源区结构，该量子点有源区结构包括：自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层；进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有源区结构和上限制层。利用本发明，在合适的生长条件下掺入锑原子能够与InAs量子点结合，形成InAsSb三元合金，有效收缩能带带隙，扩展InP基量子点材料的发光波长，这一方法对InP基长波长量子点发光及探测器件的制备具有重要的意义。