公开/公告号CN109494156A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN201811056173.X
申请日2018-09-11
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘书航
地址 奥地利菲拉赫西门子大街2号
入库时间 2024-02-19 08:33:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20180911
实质审查的生效
2019-03-19
公开
公开
机译: 具有缩短通道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法具有缩短通道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
机译: 互补金属氧化物半导体场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
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