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一种提高后仿真结果准确性的方法及系统

摘要

本发明公开了一种提高后仿真结果准确性的方法及系统,所述方法包括如下步骤:步骤S1,提取出版图中MIM CAP图形的周长与面积,将MIM CAP图形作为矩形利用周长与面积建立方程,根据所建立的方程计算该MIM CAP图形的长与宽;步骤S2,将步骤S1计算获得的宽长值代入电容计算公式,得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值,通过本发明,可提高后仿真结果的准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN109145414A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201810882624.9

  • 发明设计人 曹云;

    申请日2018-08-06

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2024-02-19 08:07:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180806

    实质审查的生效

  • 2019-01-04

    公开

    公开

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