公开/公告号CN109188252A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201811204231.9
发明设计人 潘永吉;
申请日2018-10-16
分类号
代理机构上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2024-02-19 07:49:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20181016
实质审查的生效
2019-01-11
公开
公开
机译: 一种测试LSI技术的半导体CMOS / SOI的方法,该方法可抵抗由空间的带电粒子撞击引起的单个失效的影响
机译: 一种基于镍的耐高温合金的生产方法及基于镍的耐高温合金
机译: 一种基于镍的耐高温合金的生产方法及基于镍的耐高温合金