一种制备具有正金字塔/倒金字塔复合结构硅片的方法

摘要

本发明公开了一种制备具有正金字塔/倒金字塔复合结构硅片的方法，首先在硅片表面沉积一层ITO薄膜；然后利用光刻技术结合化学腐蚀对ITO薄膜进行部分刻蚀去除，在ITO薄膜上形成孔阵列；再将带有孔阵列的ITO/Si片放入碱性溶液中进行刻蚀得到具有对应图形阵列的ITO/Si片；最后将具有对应图形阵列的ITO/Si片通过化学腐蚀去除ITO，得到表面带有对应图形阵列的Si片；其中，所述图形阵列为正金字塔和倒金字塔复合的结构阵列。本发明方法制得的硅片能够有效降低硅片对光的反射，增加光的吸收，同时，正金字塔和倒金字塔结构的引入不会过多的增加硅片的表面积，从而有效提升其在太阳能电池领域的应用。