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一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法

摘要

本发明涉及一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法,利用激光干涉烧蚀和金属薄膜退火两步处理法,首先利用激光干涉在硅片上烧蚀出周期性跨尺度的微/纳米结构图案,并在硅衬底上溅射沉积特定厚度的双层金属膜,退火过程中利用在图案化硅衬底表面的金属膜反润湿特性,实现金属纳米粒子模版化的自组装,得到与激光干涉图案一致的有序双金属纳米粒子阵列。本发明可获得大面积图案化有序的双金属纳米粒子阵列,制备方法简单无需图案转移及化学合成,具有粒子尺寸和成份可控,图案可控,重复性好,稳定性高等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109119332A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN201810851530.5

  • 申请日2018-07-30

  • 分类号

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人安丽

  • 地址 130022 吉林省长春市卫星路7089号

  • 入库时间 2024-02-19 07:11:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/203 申请日:20180730

    实质审查的生效

  • 2019-01-01

    公开

    公开

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