硅试样的碳浓度评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法、单晶硅锭的制造方法、单晶硅锭以及硅晶片

摘要

本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：在作为评价对象的硅试样的表面的至少一部分形成氧化膜；向所述氧化膜的表面照射粒子束；向照射了所述粒子束的氧化膜的表面照射具有比硅的带隙大的能量的激发光；测定从照射了所述激发光的作为评价对象的硅试样发出的光致发光的强度；以及基于测定出的光致发光的强度，评价作为评价对象的硅试样的碳浓度，所述光致发光是硅的带边发光。