Read write memories; Electronic tunneling; Junctions; Patent applications; Magnetic storage devices; Magnetoresistance; Computer architecture; Ferromagnetic materials;
机译:90 nm 32 $ times $ 32位隧道SRAM存储器阵列,写入访问时间为0.5 ns,读取访问时间为1 ns,工作电压为0.5 V
机译:反向偏置电流消除,读取分开,写入增强型隧道FET SRAM
机译:通过使用独立的存储设备进行存储单元的节能写/读操作,并使用MIS隧道二极管传感器进行远程读取
机译:基于相关材料的磁性隧道结的协同操作,通过单独的读写路径读取优化的MRAM
机译:自旋传递转矩在磁隧道结中引起振荡和切换。
机译:在多铁性设备中分离读写单元
机译:使用磁隧道的非易失性静态随机存取存储器(NV-sRam) 具有电流感应磁化开关结构的连接点
机译:使用光学加入系统设计,开发和制造亚铁磁性存储器的可行性模型,用于读写功能最终报告