ALUMINUM GALLIUM ARSENIDES; DIRECT CURRENT; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; TRANSCONDUCTANCE; CAPACITANCE; GATES (CIRCUITS); MATHEMATICAL MODELS; MICROWAVE FREQUENCIES;
机译:GaAs / AlGaAs倒置高电子迁移率晶体管小信号参数的解析模型
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:以液相氧化的AlGaAs作为栅介质的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:反相GaAs / Algaas高电子移动晶体管的小信号参数和噪声表征
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中可调谐电子加热引起的巨磁阻
机译:轮廓对AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管材料和器件性能的影响