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International Conferecne on Microelectronics
International Conferecne on Microelectronics
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1.
Atomic force microscopy investigation of dislocation structures and deformation characteristics in neutron irradiated silicon detectors
机译:
中子辐照硅探测器位错结构和变形特性的原子力显微镜研究
作者:
G. Golan
;
E. Rabinovich
;
A. Inberg
;
A. Axelevitch
;
M. Oksman
;
Y. Rosenwaks
;
A. Kozlovsky
;
P. J. Rancoita
;
M. Rattagi
;
A. Seidman
;
N. Croitoru
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
2.
Technologies and design of low-power RF microsystems
机译:
低功率RF微系统的技术与设计
作者:
Erik A. McShane
;
Krishna Shenai
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
3.
An analytical model for electrical characteristics of short geometry LDD and short channel FOLD MOSFETs
机译:
短几何LDD和短沟道折叠MOSFET电气特性的分析模型
作者:
Anil Kumar
;
Ekta Kalra
;
Subhasis Haldar
;
R. S. Gupta
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
4.
A SPICE modeling of the negative resistance breakdown region for the bipolar junction transistor
机译:
双极结晶体管的负电阻击穿区域的调味造型
作者:
D. Dobrescu
;
Lidia Dobrescu
;
A. Rusu
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
5.
Characterization of power VDMOSFETs by split C-V measurements
机译:
通过分割C-V测量来表征功率VDMOSFET
作者:
Predrag Habas
;
Sasa Mileusnic
;
Milos Zivanov
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
6.
Transient analysis of BJT using all injection level TLEC model
机译:
所有喷射水平TLEC模型BJT的瞬态分析
作者:
T. V. Pesic
;
T. R. Ilic
;
N. D. Jankovic
;
J. P. Karamarkovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
7.
The small-signal parameters and noise characterization for inverted GaAs/AlGaAs high electron mobility transistors
机译:
反相GaAs / Algaas高电子移动晶体管的小信号参数和噪声表征
作者:
Kuo-Wei Liu
;
A. F. M. Anwar
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
8.
Microtechnology on the threshold of the 21st century
机译:
21世纪阈值的微技术
作者:
Wolfgang Ehrfeld
;
Ursula Ehrfeld
;
Markus Winzenick
;
Holger Bruning
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
9.
Reliability of compound semiconductor devices
机译:
化合物半导体器件的可靠性
作者:
F. Fantini
;
L. Cattani
;
D. Dieci
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
10.
Variation of reflectivity spectra, preferred orientation and stoichiometry of polycrystalline TiN films due to nitrogen flow variation
机译:
由于氮气变化引起的多晶锡膜的反射率光谱的变化,优选取向和化学计量
作者:
M. Zlatanovic
;
D. Dukic
;
U. Kascak
;
I. Popovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
11.
The real band diagram for the metal-semiconductor heterojunction
机译:
金属半导体异质结的真实带图
作者:
L. V. Shekhovtsov
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
12.
Development of high power press-pack IGBT and it's applications
机译:
开发大功率压力 - 包IGBT及其应用
作者:
Yoshiyuki Uchida
;
Yasukazu Seki
;
Yoshikazu Takahashi
;
Masami Ichijoh
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
13.
MOS structure threshold voltage model by rigorously considering quantum mechanical effect
机译:
MOS结构阈值电压模型通过严格考虑量子机械效果
作者:
Yutao Ma
;
Zhijian Li
;
Litian Liu
;
Z. Yu
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
14.
A method for pressure control in plasma processing
机译:
等离子体处理中压力控制方法
作者:
Z. Zirojevic
;
M. Zlatanovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
15.
Contents
机译:
内容
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
16.
2000 22nd International Conference on Microelectronics
机译:
2000年第22届微电子学国际会议
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
17.
Quantum engineering of nanoelectronic devices
机译:
纳米电子器件量子工程
作者:
Vijay K. Arora
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
18.
Thermal field - the source of the emergence of nonequilibrium charge carriers in semiconductors
机译:
热场 - 半导体中非纤维电荷载流子的出现源
作者:
Gabino Espejo
;
Igor Volovichev
;
Yuri G. Gurevich
;
G. N. Logvinov
;
Andrey Meriuts
;
Oleg Yu. Titov
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
19.
ESD protection techniques for semiconductor devices
机译:
半导体器件的ESD保护技术
作者:
J. E. Vinson
;
J. J. Liou
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
20.
Microelectronics and photonics-the future
机译:
微电子和光子学 - 未来
作者:
Eqhraim Suhir
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
21.
Bulk oxide charge and slow states in Si-SiO{sub}2 structures generated by RIE-mode plasma
机译:
在RIE模式等离子体产生的Si-SiO {Sub} 2结构中散装氧化物电荷和慢速状态
作者:
A. Paskaleva
;
E. Atanassova
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
22.
Photoluminescence parameters in strained GaAs/In{sub}xGa{sub}(1-x)As/GaAs-heterostructures
机译:
应变GaAs / In {sub} xga {sub}(1-x)的光致发光参数为/ gaas异质结构
作者:
N. N. Grigorev
;
E. G. Gule
;
A. I. Klimovskaya
;
Yu. A. Dryga
;
V. G. Litovchenko
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
23.
Effect of γ-irradiation on the electrophysical parameters of metal/GaAs barrier structures with textured interfaces
机译:
γ-辐照对纹理接口金属/ GaAs屏障结构电神法参数的影响
作者:
O. Yu
;
Borkovskaya
;
N. L. Dmitruk
;
R. V. Konakova
;
S. V. Mamykin
;
V. V. Milenin
;
E. A. Soloviev
;
M. B. Tagaev
;
D. I. Voitsikhovskiy
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
24.
Carrier recombination at grain boundary and Fermi level in polysilicon films under optical illumination
机译:
在光学照射下多晶硅膜的晶界和FERMI水平的载体复合
作者:
Mitic D.Z.
;
Petkovic D.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
25.
Radiation effects in the space telecommunications environment
机译:
空间电信环境中的辐射效应
作者:
Daniel M. Fleetwood
;
Peter S. Winokur
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
26.
Challenges of the emerging microsystems industry
机译:
新兴微系统的挑战
作者:
Per Ohlckers
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
27.
Impact of MOS technological parameters on the detection and modeling of the soft breakdown conduction
机译:
MOS技术参数对软击穿传导检测和建模的影响
作者:
E. Miranda
;
J. Sune
;
R. Rodriguez
;
M. Nafria
;
X. Aymerich
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
28.
Dielectric characteristics of MOS capacitors with rf sputtered Ta{sub}2O{sub}5
机译:
RF溅射Ta {Sub} 2O {Sub} 5的MOS电容器的介电特性5
作者:
T. Dimitrova
;
E. Atanassova
;
J. Koprinarova
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
29.
Thermal simulation of high-lead count packages
机译:
高端计数包的热仿真
作者:
G. Hanreich
;
L. Musiejovsky
;
J. Nicolics
;
K. Riedling
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
30.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
31.
A simple model for the threshold voltage of polysilicon TFT which include both of grain and grain boundary trapping states
机译:
多晶硅TFT阈值电压的简单模型,包括晶粒和晶界诱捕状态
作者:
D. M. Petkovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
32.
Investigation of ion-beam modified silicon by photoacoustic method
机译:
光声法研究离子束改性硅
作者:
D. M. Todorovic
;
P. M. Nikolic
;
J. Elazar
;
M. Smiljanic
;
A. I. Bojicic
;
D. G. Vasiljevic-Radovic
;
K. T. Radulovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
33.
Rise-time effects in ggnMOSt under TLP stress
机译:
在TLP压力下GGN大致的上升时间效应
作者:
G. Boselli
;
A. J. Mouthaan
;
F. G. Kuper
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
34.
Parameter extraction using lateral and vertical optimization
机译:
使用横向和垂直优化的参数提取
作者:
A. Ortiz-Conde
;
Yuansheng Ma
;
J. Thomson
;
E. Santos
;
J. J. Liou
;
F. J. Garcia Sanchez
;
M. Lei
;
J. Finol
;
P. Layman
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
35.
Advanced concepts in smart power integrated circuits
机译:
智能功率集成电路中的高级概念
作者:
P. Rossel
;
N. Cezac
;
G. Charitat
;
J. M. Dorkel
;
F. Morancho
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
36.
Noise sources in microelectromechanical systems
机译:
微机电系统中的噪声源
作者:
Zoran Djuric
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
37.
Industrial demands on micromechanical products
机译:
微机械产品的工业需求
作者:
Helmut Detter
;
Gordana Popovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
38.
The equivalent electrical model of intergranular impedance of BaTiO{sub}3-ceramics
机译:
BATIO {SUB} 3陶瓷晶间阻抗等效电气模型
作者:
Vojislav V. Mitic
;
Predrag M. Petkovic
;
Ivona Z. Mitrovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
39.
Selective area epitaxial growth of Hg{sub}(1-x)Cd{sub}xTe by isothermal vapor-phase epitaxy
机译:
由等温气相外延的选择性区域HG {Sub}(1-X)CD {Sub} XTE的选择性区域
作者:
Z. Dinovic
;
V. Jovic
;
R. Petrovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
40.
Optical constants of Hg{sub}xCd{sub}(1-x)Te alloys
机译:
HG {Sub} XCD {Sub}(1-X)TE合金的光学常数
作者:
A. B. Djurisic
;
A. D. Rakic
;
R. Tmusic
;
E. Herbert Li
;
M. L. Majewski
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
41.
Molecular layer epitaxy for future devices
机译:
未来设备的分子层外延
作者:
Toru Kurabayashi
;
Jun-ichi Nishizawa
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
42.
Analysis of Fowler-Nordheim injection in NO nitrided gate oxide grown on n-type 4H-SiC
机译:
N-型4H-SiC中没有生长的呋喃 - 诺德海姆注射液分析
作者:
Hui-Feng Li
;
Sima Dimitrijev
;
Denis Sweatman
;
H. Barry Harrison
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
43.
Characterization of epitaxial Hg{sub}(1-x) Cd{sub}xTe layers using the far infrared optical method
机译:
使用远红外光学方法表征外延HG {Sub}(1-X)CD {Sub} Xte层的特征
作者:
P. M. Nikolic
;
Z. Dinovic
;
K. Radulovic
;
D. Vasiljevic-Radovic
;
S. Duric
;
P. Mihajlovic
;
D. I. Siapkas
;
T. T. Zorba
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
44.
General analytical solution to the minority carrier current density in low-high junctions
机译:
一般分析液对低高通路中的少数载流电流密度
作者:
Stojan Ristic
;
Ivica Manic
;
Zoran Prijic
;
Aneta Prijic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
45.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
46.
Thermal field-the source of the emergence of nonequilibrium charge carriers in semiconductors
机译:
热场 - 半导体中非纤维电荷载体出现的源
作者:
Espejo G.
;
Volovichev I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
47.
Effect of /spl gamma/-irradiation on the electrophysical parameters of metal/GaAs barrier structures with textured interfaces
机译:
/ SPLγ/ -iamradiation对纹理接口金属/ GAAs屏障结构电神法参数的影响
作者:
Borkovskaya O.Yu.
;
Dmitruk N.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
48.
High temperature treatment effect on wafers warpage with anodized porous silicon layers
机译:
用阳极氧化多孔硅层对晶片翘曲的高温处理效果
作者:
G. E. Ayvazyan
;
A. A. Vardanyan
;
A. A. chomoyan
;
G. A. Makaryan
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
49.
Mixed-mode device simulation
机译:
混合模式设备仿真
作者:
T. Grasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
50.
The modification of drift-diffusion model for short base transport
机译:
短基转运漂移扩散模型的改变
作者:
J. P. Karamarkovic
;
N. D. Jankovic
;
J. Dambacher
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
51.
New MESFET noise models as user-defined elements of program Libra library
机译:
新的MESFET噪声模型作为程序天秤座库的用户定义元素
作者:
Natasa Males-Ilic
;
Vera Markovic
;
Bratislav Milovanovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
52.
Characterization of epitaxial Hg/sub 1-x/Cd/sub x/Te layers using the far infrared optical method
机译:
使用远红外光学方法表征外延HG / SUB 1-X / CD / SUB X / TE层
作者:
Nikolic P.M.
;
Dinovic Z.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
53.
Peculiarities of Si films etching in CF{sub}4 parent gas
机译:
CF {亚} 4父气体中Si膜蚀刻的特性
作者:
Yu N. Grigoryev
;
A. G. Gorobchuk
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
54.
Electron spectra in low-dimensional crystalline systems
机译:
低维晶体系统中的电子光谱
作者:
D. L. J. Mirjanic
;
J. P. Setrajcic
;
S. M. Stojkovic
;
D. Sijacic
;
I. D. Vragovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
55.
Optical constants of Hg/sub x/Cd/sub 1-x/Te alloys
机译:
Hg / sub x / cd / sub 1-x / te合金的光学常数
作者:
Djurisic A.B.
;
Rakic A.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
56.
The X-ray and UV controlled adjustment of MOSFET threshold voltage
机译:
MOSFET阈值电压的X射线和UV控制调整
作者:
M. N. Levin
;
S. G. Kadmensky
;
V. S. Pershenkov
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
57.
Burst noise with normal distribution of characteristic times in sub-micron ultra-thin-oxide MOSFET's
机译:
爆破噪声具有正常分布的子微米超薄氧化物MOSFET中的特征时间
作者:
P. Hruska
;
R. Kolarova
;
J. Sikula
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
58.
Power VDMOS transistors response to lowered temperature conditions
机译:
功率VDMOS晶体管响应降低温度条件
作者:
S. Djoric-Veljkovic
;
S. Golubovic
;
V. Davidovic
;
N. Stojadinovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
59.
A study of varied threshold voltage MOSFET (VTMOS) performance and principle
机译:
不同阈值电压MOSFET(VTMOS)性能和原理的研究
作者:
Zenglang Xia
;
Yan Ge
;
Yuanfu Zhao
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
60.
The influence of strong electric field on the interface in the Al-SiO{sub}2-n-Si auger transistor
机译:
强电场对Al-SiO {Sub} 2-SI螺旋晶体管界面的影响
作者:
S. I. Baranchuk
;
V. D. Kalganov
;
N. V. Mileshkina
;
E. V. Ostroumova
;
A. A. Rogachev
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
61.
Post-irradiation behavior of commercial power VDMOSFETs
机译:
商业动力VDMOSFET的后照射行为
作者:
A. B. Jakic
;
M. M. Pejovic
;
G. S. Ristic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
62.
Investigation of the thermal stress field in a multilevel aluminium metallization in VLSI systems using finite element modelling approach
机译:
采用有限元模拟方法研究VLSI系统多级铝金属化的热应力场
作者:
P. M. Igic
;
P. A. Mawby
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
63.
Degradation of /spl alpha/-Si:H TFTs caused by electrostatic discharge
机译:
静电放电引起的/SPLα/ -SI:H TFT的降解
作者:
Tosic N.
;
Kuper F.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
64.
Optical constants of InP and GaP
机译:
INP和GAP的光学常数
作者:
Aleksandra B. Djurisic
;
Aleksandar D. Rakic
;
Jovan M. Elazar
;
E. Herbert Li
;
Marian L. Majewski
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
65.
Degradation of α-Si:H TFTs caused by electrostatic discharge
机译:
静电放电引起的α-Si:H TFT的降解
作者:
N. Tosic
;
F. G. Kuper
;
T. Mouthaan
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
66.
The Schottky barrier contribution to photoacoustic effect in Au-Si system
机译:
肖特基屏障对AU-SI系统的光声效应的贡献
作者:
D. M. Todorovic
;
P. M. Nikolic
;
M. Smiljanic
;
R. Petrovic
;
A. I. Bojicic
;
D. G. Vasiljevic-Radovic
;
K. T. Radulovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
67.
Overtaking pure diffusive equilibrium in the heterogenous optoelectronic structures
机译:
超越纯散射平衡在异构光电结构中
作者:
V. Dimic
;
D. Stefanovic
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
68.
Backside chip effect on latent relaxation in irradiated MOS devices
机译:
辐照MOS装置潜弛豫的背面芯片效应
作者:
V. V. Emelianov
;
O. V. Meshurov
;
V. S. Pershenkov
;
S. V. Cherepko
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
69.
Diagnostics of large-area solar cells by local irradiation
机译:
局部辐照诊断大面积太阳能电池
作者:
Jan Radil
;
Vitezslav Benda
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
70.
Electron spectra in simple superlattices
机译:
在简单超大图格中的电子光谱
作者:
S. M. Stojkovic
;
J. P. Setrajcic
;
I. Junger
;
I. D. Vragovic
;
S. B. Lazarev
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
71.
Self-organized growth of Si/Si and Ge{sub}xSi{sub}(1-x)/Si superlattices
机译:
SI / SI和GE {sub} xsi {sub}(1-x)/ si supertrices的自组织生长
作者:
A. Klimovskaya
;
I. Ostrovskii
;
E. Gule
;
I. Prokopenko
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
|
2000年
72.
Amporphous silicon detector and thin film transistor technology for large area imaging of X-rays
机译:
非晶硅检测器和薄膜晶体管技术,用于X射线大面积成像
作者:
A. Nathan
;
R. V. R. Murthy
;
Q. Ma
;
B. Park
;
H. Pham
;
A. Sazonov
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
73.
The effect of self-heating on hot-carrier effects in deep submicron SOI/NMOS
机译:
自加热对深亚微米/ NMOS的热载体效应的影响
作者:
Zenglang Xia
;
Yinbo Li
;
Yuanfu Zhao
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
74.
Evaluation of electron pressure effect in low-field drain region of submicron GaAs MESFET using ensemble Monte Carlo simulation
机译:
使用集合蒙特卡罗模拟评估亚微米GAAS MESFET低场漏区电子压力效应
作者:
Y. Yamada
;
M. Hasegawa
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
75.
An analytical 3-D model for small dimensions MOSFETs' threshold voltage
机译:
小尺寸MOSFET阈值电压的分析3-D模型
作者:
D. Z. Pilja
;
R. M. Sasic
;
R. M. Ramovic
;
D. A. Tjapkin
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
76.
Stress induced degradation in RF deposited Ta{sub}2O{sub}5 films on silicon
机译:
硅沉积Ta {Sub} 2o {sub} 5芯片中的应力诱导降解
作者:
N. Novkovski
;
M. Pecovska-Gjorgjevich
;
E. Atanassova
;
T. Dimitrova
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
77.
Photosensitivity increase of vapor-phase graded band gap CdHgTe by introduction to substrate an isovalent impurity Mn,Zn
机译:
通过引入底物的光相分级带隙Cdhgte的光敏性增加,底物是异杂杂质Mn,Zn
作者:
O. I. Vlasenko
;
V. M. Babentsov
;
Z. K. Vlasenko
;
I. V. Kurilo
;
I. O. Rudyi
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
78.
Cathodoluminescence and photoluminescence study of trap centers in amorphous silicon oxynitride
机译:
无定形硅氧氮化物中陷阱中心的阴极致发光和光致发光研究
作者:
V. A. Gritsenko
;
Yu. G. Shavalgin
;
P. A. Pundur
;
H. Wong
;
W. M. Lau
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
79.
Extraction of the bulk-charge effect parameter in MOSFETs
机译:
MOSFET中的批量电荷效应参数提取
作者:
F. J. Garcia Sanchez
;
A. Ortiz-Conde
;
J. A. Salcedo
;
J. J. Liou
;
Y. Yue
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
80.
CMOS technology for RF application
机译:
CMOS技术用于RF应用
作者:
Hiroshi Iwai
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
81.
Reliability of surface micromachined MicroElectroMechanical actuators
机译:
表面微机电致动器的可靠性
作者:
Danelle M. Tanner
会议名称:
《International Conferecne on Microelectronics》
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2000年
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