首页> 美国政府科技报告 >Magnetic Resonance Studies of the Oxygen-Vacancy Complex and Interstitial Chromium in Silicon.
【24h】

Magnetic Resonance Studies of the Oxygen-Vacancy Complex and Interstitial Chromium in Silicon.

机译:硅中氧空位配合物和间隙铬的磁共振研究。

获取原文

摘要

The methods, electron paramagnetic resonance (EPR) and electron nuclear double resonance (ENDOR) are used to investigate the electronic structure of irradiation defects and impurities in silicon. 145 refs.; 34 figs.; 18 tabs. (Atomindex citation 20:024237)

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号