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机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中的带间跃迁贡献了与参数相关的共振三阶磁化率
InGaN/GaN; quantum wells; optical susceptibility; effective mass; inter-band transition; SEMICONDUCTOR-LASERS; POLARIZATION; HETEROSTRUCTURES; TEMPERATURE; GROWTH; GAIN;
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱中的带间跃迁贡献了与参数相关的共振三阶磁化率
机译:Ga_(1-x)N / GaN抛物线量子点的参数相关三阶磁化率
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机译:在扩散中的三阶非线性光学敏感性改性AL_XGAI__XN / GAN单量子阱
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机译:合成胶基质中稳定的CdS量子点中的激子跃迁和非共振光学限幅
机译:掺杂Si的GaN-AlN量子阱和1.5μm量子点的共振三阶非线性磁化率的表征
机译:超快,室温,共振增强的alGaas / Gaas量子阱的三阶光学敏感度张量