机译:裂纹尖端错位成核的关键配置
TO-DUCTILE TRANSITION; SILICON SINGLE-CRYSTALS; CLEAVAGE FRACTURE; TRANSGRANULAR CLEAVAGE; BRITTLE; BEHAVIOR; LOOPS; INSTABILITY; DYNAMICS; GROWTH;
机译:裂纹尖端错位成核的关键配置
机译:位错配置,裂纹扩展和自由表面对位错源触发负载的影响
机译:大晶粒尺寸的纯多晶铜在裂纹尖端前的微观结构,用于不同的传播速率和在变化的传播裂纹速率下位错的重新演化
机译:FCC材料裂纹尖端位错成核的数值和理论研究
机译:与裂纹成核有关的位错动力学对FCC金属的数值研究。
机译:原子模拟研究ReWCo对Ni基单晶高温合金γ相裂纹尖端位错形核的影响
机译:硅中裂纹尖端的位错形核和增殖