...
机译:通过热线化学气相沉积(HW-CVD)方法沉积氢化非晶硅(a-Si:H)膜:衬底温度的作用
amorphous silicon; chemical vapor deposition; Raman spectra; thin films; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; GLOW-DISCHARGE; DEVICE QUALITY; THIN-FILMS; SILANE; DECOMPOSITION; SPECTRUM; DEFECTS; NMR;
机译:通过热线化学气相沉积(HW-CVD)方法沉积氢化非晶硅(a-Si:H)膜:衬底温度的作用
机译:通过热线化学气相沉积在塑料基板上低温度沉积非晶和微晶硅膜
机译:在低基板温度下通过等离子体增强化学气相沉积和热线化学气相沉积沉积的薄膜的机械和压阻特性
机译:热线CVD法在低沉积温度下沉积氢化非晶硅至微晶过渡区
机译:氢化非晶硅热线化学气相沉积过程中的动力学粗糙化。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:通过热线化学气相沉积在塑料衬底上低温度沉积非晶和微晶硅膜
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响