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【24h】

Effet de l'oxyde d'aluminium sur les caracteristiques electriques des parafoudres a varistances ZnO

机译:氧化铝对ZnO压敏电阻避雷器电气特性的影响

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摘要

La diminution de la tension residuelle des varistances composees de ZnO-Bi{sub}2O{sub}23-Sb{sub}2O{sub}23-Mn{sub}22O{sub}23-Co{sub}2O{sub}23-Cr{sub}2O{sub}3 a ete etudiee en dopant la ceramique par 500-10000 ppm d'aluminium en utilisant differents temps de ftittage (1, 2 et 3 h) ainsi que differentes temperatures de frittage (11.50 ℃, 1200 ℃ et 1250 ℃). Une quantite elevee de Sb{sub}2O{sub}3 (2.8%mol) a ete utilisee pour l'obtention de varistances a champ de seuil eleve. La tension residuelle la plus basse, reliee a la conductivite des grains de ZnO la plus elevee, a ete obtenue pour des varistances dopees par 1000 ppm d'aluminium, frittees pendant 2 h a 1250 ℃. Cette etude montre le role ambivalent, donneur/accepteur, joue par l'oxyde d'aluminium sur la conductivite des grains de ZnO, et le besoin de chercher les conditions optimales de dopage et de temps de ftittage. En revanche, une augmentation de la temperature de frittage se traduit systematiquement par une augmentation de la conductivite des grains ou l'aluminium est toujours donneur.
机译:由ZnO-Bi {sub} 2O {sub} 23-Sb {sub} 2O {sub} 23-Mn {sub} 22O {sub} 23-Co {sub} 2O {sub}组成的压敏电阻的残余电压降低通过使用不同的烧结时间(1、2和3 h)以及不同的烧结温度(11.50℃),用500-10000 ppm的铝掺杂陶瓷,研究了23-Cr {sub} 2O {sub} 3, 1200℃和1250℃)。大量的Sb {sub} 2O {sub} 3(2.8 mol%)用于获得高阈值场压敏电阻。对于掺杂了1000 ppm铝的压敏电阻,在1250℃下烧结2 h,获得了与最高ZnO晶粒的电导率相关的最低残留电压。这项研究表明,氧化铝对ZnO晶粒的电导率起着矛盾的作用,即施主/受主,还需要寻求最佳的掺杂条件和掺杂时间。另一方面,烧结温度的升高有系统地导致晶粒的电导率增加,其中铝总是供体。

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