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机译:用Kr和Xe代替Ar磁控溅射制备的InGaZnO非晶薄膜晶体管的电学性能。
机译:用Kr和Xe代替Ar磁控溅射制备的InGaZnO非晶薄膜晶体管的电学性能。
机译:使用Kr和Xe代替Ar通过磁控溅射制备的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管
机译:Xe的使用对磁控溅射沉积非晶InGaZnO薄膜晶体管中电学性能的影响
机译:Ar,Kr和Xe离子束溅射沉积铁膜的磁性
机译:通过大功率脉冲磁控溅射沉积的银膜的电学和光学性质。
机译:具有埋沟道层的非晶InGaZnO薄膜晶体管的电性能和偏压应力稳定性
机译:无定形SnO2:TA薄膜的电气和光学性质,由DC和RF磁控溅射制备:对反应气体类型的影响进行系统研究