Tecniche di modificazione superficiale mediante deposizione da fase vapore e scarica ionica

摘要

Un processo CVD viene generalmente definito come un processo in cui un precursore gassoso viene introdotto in un reattore e, a seguito di una reazione chimica, viene prodotto un materiale solido. La distinzione tra i vari processi CVD puo essere fatta in funzione delle tecnica di attivazione della reazione chimica (TACVD, thermally activated CVD; LCVD, laser assisted CVD; PACVD o PECVD, plasma activated o plasma enhanced CVD; EBCVD, electron beam CVD; IBCVD, ion beam induced CVD) in funzione della pressione di lavoro (APCVD, atmospheric pressure CVD; LPCVD, low pressure CVD; UHVCVD, ultra high vacuum CVD) oppure sulla base dei precursori usati (MOCVD, me-tal organic CVD). Fra di essi il processo convenzionale e il CVD termicamente attivato; questo processo venne usato per la prima volta all'inizio del 1900 per sintetizzare elementi puri quali il boro, il tungsteno e successivamente il tantalio e il molibdeno. Negli anni '50 venne usato per produrre rivestimenti resistenti alla corrosione e all'alta temperatura; in seguito e stato un processo chiave nello sviluppo della tecnologia dei semiconduttori ed ora viene largamente utilizzato per la produzione di rivestimenti che vanno da rivestimenti resistenti all'usura e alle sollecitazioni termiche, alle celle solari, ai rivestimenti biocompatibili, alla microelettronica, ecc.