W artykule przedstawiono wyniki walcowania pakietowego (ARB - Accumulative Roll Bonding) wyzarzonego, czystego technicznie aluminium o grubosci 1,2 mm. Poprzez obrobke wielokrotnego walcowania otrzymano probki - tasmy o strukturze ultra drobnej, o grubosci okolo 1 mm. Obserwowano probki po 8 przepuscie ARB metoda EBSD (Electron Backscatter Diffraction Analysis), co pozwolilo wstepnie okreslic wielkosc ziaren na mniejsza od 1 μm. Oszacowano rowniez metoda rentgenowska Scherrera srednia wielkosc krystalitow, ktora wynosila 180 nm. Nastepnie wykonano badania tloczenia i przetlaczania wytloczek na kilku zestawach stempli i matryc (kilka ciagow) w celu uzyskania glebokiej wytloczki o bardzo malej srednicy (wytloczki zblizonej do obudowy kondensatora). Stwierdzono, ze polaczonymi metodami walcowania pakietowego i tloczenia (oraz kilku operacji przetlaczania) mozna uzyskac bardzo glebokie wytloczki, zarowno o podwyzszonych wlasciwosciach mechanicznych (w stosunku do materialow konwencjonalnych - np. wyzarzonego, czystego technicznie aluminium), jak rowniez o wiekszych glebokosciach anizeli probki wykonane z wyzarzonego materialu. Zaobserwowano bowiem ponad dwukrotne zwiekszenie wartosci granicy plastycznosci oraz wytrzymalosci na rozciaganie, dla probek pobranych z tasm po procesie ARB, w stosunku do probek wycietych z materialu wyzarzonego. Wynik ten jest zgodny z zalozeniami metody ARB. Podwyzszone wlasciwosci mechaniczne powinny sie przelozyc na zwiekszona wytrzymalosc eksploatacyjna obudow kondensatorow. Tasmy aluminiowe poddane walcowaniu metoda ARB posiadaly ponadto wieksza tlocznosc niz tasmy niewalcowane.
展开▼
