エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化

摘要

CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2μm{sup}2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、TFTの高性能化に有効である。しかし、この結晶化によりSi薄膜表面に数十nmの凹凸が形成される。 これを平坦化するために、化学的機械的平坦化を検討したので報告する。