Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO_2/GaAs(100) и V_2O_5/GaAs(100), прошедших термическую обработку

摘要

В процессе термооксидирования GaAs с магнетронно нанесенными наноразмерными слоями оксидов V_2O_5 и МnO_2 сформированы сложнооксидные пленки толщиной ~ 200 нм. Методом вольт-амперных характеристик при комнатной температуре в диапазоне напряжений (-5)-(+5) В определены их электрофизические параметры (величина пробойного напряжения при обратном смещении и плотность тока), исследованы состав и морфология поверхности пленок. Показано, что V_2O_5 по сравнению с МnO_2 способствует более интенсивному химическому связыванию мышьяка на внутренней границе раздела с образованием As_2O_5, что для термически оксидированных гетероструктур V2Os/GaAs приводит к ббльшим значениям напряжения пробоя.