RF CMOS技術によるBluetooth無線トランシーバLSI

摘要

無線通信機器に対する多機能化の要求の高まりに伴い，微細化の進hだCMOS（相補型金属酸化膜半導体）技術による無線通信LSIの実現が注目を集めている。 東芝は，RF (Radio Frequency) CMOS技術による2.4GHz帯Bluetooth無線トランシーバLSIを開発した。 このLSIは，Bluetooth V2.1+EDR (Enhanced Data Rate)の規格に対応し，世界最高レベルの受信感度を達成しいる。 更に，半導体集積回路の国際学会CICC (Custom Integrated Circuits Conference) 2007で報告した温度補償技術を用いることで-40～+90°Cの広い温度範囲にわたり高い受信感度を維持している。 0.13μm微細CMOS技術によるLSI製造と，電源電圧として主に1.5Vを用いた回路の低電圧動作によって，低コスト·低消費電力化を実現した。 将来は，大規模デジタルLSIとの1チップ混載も目指していく。