特性改善と低価格化を両立した低耐圧パワーMOSFET

摘要

パワーMOSFET（金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ）は，大電力を扱うパワー半導体分野において中心的な存在であり，その性能は，機器のエネルギー効率や消費電力などへ直接影響し，省エネ及び二酸化炭素(CO_2)削減など環境に配慮するうえでも重要なデバイスである。特にモバイル機器に使用される低耐圧パワーMOSFETに対しては，バッテリーでの長時間駆動を実現させるための低損失化に加え，機器の小型·薄型·軽量化に伴うパッケージサイズの縮小や電力を供給するCPUの多機能·高性能化に伴う大電力対応，更には機器の価格下落に伴う低価格化に向けた要求が強まっている。東芝は，トレンチ構造型低耐圧パワーMOSFETにおける二律背反の特性改善と低価格化を両立させ，多様化するこれらの要求に応えるとともに，省電力化を通じて環境に与える影響を低減している。