机译:三甲基铝和臭氧在MoS2上高k电介质的原子层沉积
机译:三甲基铝和臭氧在MoS2上高k电介质的原子层沉积
机译:基于双原子石墨烯器件的基于臭氧的原子层沉积的高k Al_2O_3电介质的特性
机译:环戊二烯基和臭氧前体的原子层沉积法生长的锆和Ha氧化物高k栅极电介质的电性能
机译:高甲介电酸盐和臭氧对高k电介质La_2O_3的ALD(原子层沉积)的原位XPS研究
机译:使用基于臭氧的ALD(原子层沉积)的高K电介质沉积(氧化铝),用于石墨烯基器件。
机译:原子高k电介质上的层沉积MoS2使用三甲基铝和臭氧
机译:使用三甲基铝和臭氧在MOS2上的高k电介质的原子层沉积