Сравнение нелинейных моделей для транзисторов с субмикронным затвором

摘要

Проведено сравнение основных типов нелинейных моделей, встречающихся в общепринятых пакетах моделирования МИС, для транзистора с субмикронным затвором, разработанного в ФГУП НПП "Исток" и позволяющего получать мощность более 5 Вт в двух- и трехсантиметровом диапазоне. Обнаружено, что, несмотря на видимые недостатки, при корректном построении все рассмотренные модели дают удовлетворительное совпадение результатов расчета с экспериментом.